台积电取得存储器电路和写入存储器单元的方法专利，专利技术能实现向存储器单元的栅极结构输出栅极电压

2024-04-08 09:43

金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器电路和写入存储器单元的方法“，授权公告号CN113380289B，申请日期为2021年5月。

专利摘要显示，本发明的实施例提供了存储器电路和将数据写入存储器单元的方法。存储器电路包括具有多个存储器单元的存储阵列，每个存储器单元包括具有铁电层的栅极结构和与该栅极结构相邻的沟道层，沟道层包括金属氧化物材料。驱动器电路被配置为向存储器单元的栅极结构输出栅极电压，栅极电压在第一写入操作中具有正极性和第一幅度，在第二写入操作中具有负极性和第二幅度，并将第二幅度控制为大于第一幅度。