场效应管的工作原理和使用方法 场效应管的工作原理是什么？

场效应管的工作原理是什么？

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

2、场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

3、按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

cmos场效应管工作原理？

1、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

2、更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

3、在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

4、将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

场效应管工作原理？

简单讲就是MOS管是受控半导体，二极管是不受控的单向导通半导体

MOS管原理可查任何半导体物理书，我简单说明原理：以N沟道MOS为例，当栅极G输入电压超过导通门限后，DS两级之间开始导通，导通电流受栅极电压控制，呈线性变化，当栅极电压进一步升高，超过线性区后，我们称为完全导通或者处于开关状态，MOS管电流不再随栅极电压呈线性变化，而是受其导通电阻限制。

二极管只有一个PN结，只能单向导通，起到整流（交流变直流)作用。

而MOS即可实现整流（同步整流技术）也可实现逆变(直流变交流）

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