问答百科齐纳二极管和肖特基二极管都是稳压管吗 齐纳二极管是什么 齐纳二极管的作用
齐纳二极管又称稳压二极管，肖特基二极管不是稳压二极管，它是整流二极管的一种。稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是。
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一、齐纳二极管和肖特基二极管都是稳压管吗
齐纳(ZENER)二极管又称稳压二极管 专门用以稳定电压用的二极管 只要输入电压
大於稳压二极管的稳压值即可 例如慎轮输入电压可能是7.5V-8.3V 但是经由5.1V稳压二
极管後 输出的电压就会恒维持在5.1V上下轻微起旦岁伏 不会超过5%范围,现有最高稳压值宽迟信
可以到200V
肖特基二极管是整流二极管的一种 它的特点是VF很低约0.38-0.56V 但是VR:40-90V
现在可以突破到200V
稳压二极管(又余段洞叫燃芦齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿竖枯电压前都具有很高电阻的半导体器件. 检波二极管就原理而言，从输入信号中取出
又亏橡袭称稳压二极管，不是稳压二极管，它是整流二极管的一种。
稳压二极管的的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向时，反向电阻很大，反向漏电流极小。
但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。
扩展资料：
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外销兄延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的。
肖特基整流管的结构原理与整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
参考资料来源：
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二、齐纳二极管是什么 齐纳二极管的作用
是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管。
在直流稳压电源中广泛应用。
又叫稳压二极管,齐纳二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒晌物定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主返谨耐要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定漏春电压。
就是通常说的。
1、作用
作用就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。这样，当把接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
2、采用的原理：
稳压二极管的的正向特性和普通二极管差不多，反向腔侍特性是在反向电压低于反向时，反向电阻很大，反向漏电流极小。
但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反伍橘吵向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。
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在日常的应用
1、典型的串联型稳压电路
在此电路中，T的被稳压二极管D稳定在13V，那么其发射极就输出恒定的13-0.7=12.3V电压了，在一定范围内，无论输入电压升高还是降低，无论负载电阻大小变化，输出电压都保持不变。这个电路在很多场合下都伍核有应用。
7805就是一种串联型集成稳压电路，可以输出5V的电压。7805-7824可以输出5-24V电压。在很多电器上都有应用。
2、电视机里的过压保护电路
115V是电视机主供电电压，当电源输出电压过高时，D导通，三极管T导通，其集电极电位将由原来的（5V）变为低电平，通过待机控制线的电压使电视机进入待机保护状态.
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三、什么齐纳电流,什么齐纳电阻,
齐纳与雪崩是PN结击穿后两种导电方式，余好信只要PN结被击穿，就同时存在这两种导电方式。只袜岩不过常温下击穿电压6V以下的PN结击穿后以齐纳导电方式为主，常温下击穿电压6V以上的PN结击穿后以雪崩导电方式为主。
有的教科书把稳压二竖轮极管统称为齐纳二极管。
齐纳二极管如果反向电压，增加到某个特殊值，对碧氏于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种悔此散效应的电压称为“击穿”扒陆电压或“齐纳”电压。在击穿状态下，不至于引起二极管永久性破坏的电流，称为齐纳电流。这些参数，可以在选用元件时，用于确定配套元件的规格。例如，根据齐纳二极管的齐纳电流，可以确定其工作点，以及限流电阻的阻值和功率。等等。
补充：齐纳电流是处于齐纳状态的反向电流。
四、齐纳二极管简介
齐纳二极管的 名称 是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳（英语：Clarence Zener），他首先阐述了 绝缘体 的电气崩溃特性，后来贝尔慧春基实验室运用这项发现，开发出此种二极管，并以齐纳作为命名以兹纪念。齐纳二极管（英语：Zener diode），或译为“稽纳二极管”，是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术组件，因此又称为“稳压管”。
基本原理
二极管和PN结
一般二极管正向导通时电压可维持在0.7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极管，使用上不是很方便。但观察二极管反向偏置很大时，所发生的崩溃现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性 发明 了这种特殊的二极管——齐纳二极管（ KDZ5.6V-RTK/P ），特别用在反向偏置的崩溃范围。通常齐纳二极管掺杂浓度为 1 : 10
与一般二极管有何异同
齐纳二极管的正向偏置和一前谨般二极管相同，但是其反向击穿电压森和（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。
优点
齐纳二极管可以简化电路，如上所说，如果需要多颗二极管串联的电路，则可以用齐纳二极管来简化电路。齐纳二极管的这些特性，在电压比较器、直流稳压电源等方面有广泛的应用。
五、雪崩和齐纳击穿有什么用
雪崩击穿和齐纳击穿的作用：
1、雪崩灶纯击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出颤辩桥来，产生自由电子-空穴对。
新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结。
2、齐纳击穿的具体作用：当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。
这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增。
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1、齐纳击穿的应用特点：
齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，而在碰撞电离机构中既与场强大小有关，也与载流子的碰撞累积过程有关。显然空间电荷区愈宽，倍增次数愈多，因此雪崩击穿除与电场有关外，还与空间电荷区的宽度有关。它要求结厚。而隧道效应要求结薄。
因为雪崩击穿是碰撞电离的结果。如果我们以光照或是快速粒子轰击等办法，增加空间电荷区中的电子和空穴，它们同样会有倍增效应。而上述外界作用对齐纳茄猛击穿则不会有明显影响。
由隧道效应决定的击穿电压，其温度系数是负的，即击穿电压随温度升高而减小，这是由于温度升高禁带宽度减小的结果。而由雪崩倍增决定的击穿电压，由于碰撞电离率（电离率表示一个载流子在电场作用下漂移单位距离所产生的电子空穴对数目）随温度升高而减小，其温度系数是正的，即击穿电压随温度升高而增加。
对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。
2、雪崩击穿的实际应用：
电除尘器中的电子雪崩现象：当一个电子从放电极（阴极）向收尘极（阳极）运动时，若电场强度足够大，则电子被加速，在运动的路径上碰撞气体原子会发生碰撞电离。和气体原子第一次碰撞引起电离后，就多了一个自由电子。
这两个自由电子向收尘极运动时，又与气体原子碰撞使之电离，每一原子又多产生一个自由电子，于是第二次碰撞后，就变成四个自由电子，这四个电子又与气体原子碰撞使之电离，产生更多的自由电子。所以一个电子从放电极到收尘极，由于碰撞电离，电子数将雪崩似地增加，这种现象称为电子雪崩。
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